硅-双极型外延平面 NPN-PNP 配对功率放大晶体管
大的输出电流:Ic=15A
高的击穿电压:VCEO≥230V
宽的工作区域:3.0A/80V@1 Second
优的频率特性:fT>30MHz
适用于 100W 以上高保真音频放大器末级输出
硅-双极型外延平面 NPN-PNP 配对功率放大晶体管
大的输出电流:Ic=15A
高的击穿电压:VCEO≥200V
宽的工作区域:3.2A/80V@1 Second
优的频率特性:fT>20MHz
适用于 100W 以上高保真音频放大器末级输出
硅-双极型外延平面 NPN-PNP 配对功率放大晶体管
中的输出电流:Ic=1.5A
高的击穿电压:VCEO≥150V
宽的工作区域:1A/30V@1 Second
优的频率特性:fT>4MHz
适用于高保真音频功率放大器前级推动
硅-双极型外延平面 NPN-PNP 配对功率放大晶体管
中的输出电流:Ic=1.5A
高的击穿电压:VCEO≥150V
宽的工作区域:1A/30V@1 Second
优的频率特性:fT>4MHz
适用于高保真音频功率放大器前级推动