硅-双极型外延平面 NPN-PNP 配对功率放大晶体管
大的输出电流：Ic=6A
中的击穿电压：VCEO≥80V
宽的工作区域：1.8A/80V@1 Second
优的频率特性：fT>30MHz
适用于 40W 以上高保真音频放大器推动及末级输出
硅-双极型外延平面配对功率放大晶体管
大的输出电流：Ic=8A
高的击穿电压：VCEO≥120V
宽的工作区域：2.0A/80V@1 Second
优的频率特性：fT>10MHz
适用于 60W 以上高保真音频放大器推动级及末级输出
硅-双极型外延平面 NPN-PNP 配对功率放大晶体管
大的输出电流：Ic=15A
高的击穿电压：VCEO≥200V
宽的工作区域：3.2A/80V@1 Second
优的频率特性：fT>20MHz
适用于 100W 以上高保真音频放大器末级输出
硅-双极型外延平面 NPN-PNP 配对功率放大晶体管
大的输出电流：Ic=15A
高的击穿电压：VCEO≥230V
宽的工作区域：3.0A/80V@1 Second
优的频率特性：fT>30MHz
适用于 100W 以上高保真音频放大器末级输出
